产品描述

多晶硅电源技术规范

l 打压还原集成一体化

高压击穿与还原反应同时进行，解决传统先击穿再转还原反应的繁琐工艺、生产效率低、生产周期长等问题。

l 快速高压打压启动系统

² 支持0-12kV的可调电压击穿硅芯，支持一对一、一对多启动多种模式，给到还原系统维持，直到全部本相全部击穿。

² 自带高压启动运行回路，实现后台一键启动功能，减少现场操作。

² 支持每炉多达9相同时启动功能，启动速度快，大大缩短启动时间。

² 各还原电源系统独立性更强，炉与炉之间相互独立，可同时打压启动极大缩短生产时间。  

l 具有快速限流技术，避免原来容易出现跳闸现象

市面上其它家做法是过流时跳闸，我司采用了快速对比检测和智能判断方法，大多数情况下都是快速限流，比如在不同的对棒之间，由于多晶硅生长T型变化而产生短路，使电流增加产生过流现象，我们只是快速的限流，而不是跳闸。

目前市面上都是采用可控硅控制技术，采用相控模式，功率因数低，需要昂贵的SVG设备，同时交流三相做不到平衡，我司独创的IGBT控制模式避免了以上的缺点。

l 先进的数字触发控制系统

控制系统核心采用ARM+FPGA微处理器，数字化控制抗干扰能力强、运行稳定、控制精度高、响应速度快。

l 光纤信号传输稳定性高

功率驱动系统采用光纤信号控制，具有抗干扰能力强、稳定、可靠。

l 采用高效的电压叠层技术

采用了多层电源叠层控制技术，使每组功率回路接受多种电压等级的电源，叠层输出功率电源。多层电源叠层控制方式，能有效提高还原电源效率、减小谐波，节能降耗显著，优势明显。

l 特殊的轴线中心对称压接工艺

轴线中心对称压接工艺有效避免因非轴线中心对称的压接引起水冷母排弯曲变形、接触面不平整、压降等问题。

l 高性能的PID自适应控制策略

高性能的PID自适应控制策略能够适应不同性质负载、控制精度高、动态特性好、参数设定人性化。

l 多重有效的保护功能

具有过流、过温、过压、通信故障、短路、硅棒断裂故障、硅棒短路故障、硅棒靠壁保护、晶闸管并联阻容保护等功能

l 智能化故障保护

当某个档位的可控硅出现故障，该档位自动退出，不影响设备正常运行，保证硅体的正常生长

l 一体化设计

整机内散热水路一体成形，机内无多余接口，有效避免漏水问题，散热效果明显

l 可靠的水路系统

工业级防漏锁式水嘴，进口软管：有效避免因长时间使用出现的分层、破裂、渗漏、不牢固问题.

产品参数

序号	项目	参数
1	输入电压	三相AC10kV±10%   50±1HZ
2	交流输出	3相变压器输出9绕组分别单独控制
3	启动打压电压	12KV ，可定制
4	还原输出电流	0～4600A，可定制
5	还原输出电压	0～2800V，可定制
6	稳流精度	≤±0.2%
7	功率因数	SCR最大电流下≥0.92；IGBT全范围≥0.95
8	SCR变压器二次侧每相输出档位	5档
9	IGBT模式档位	2档
10	SCR控制方式	每组负载5组反并联晶闸管倒级换档及调压加2组反并联晶闸管打压控制
11	IGBT控制方式	PWM 斩波方式
12	保护功能	过压、过流、欠压、短路、过热等多项保护功能
13	冷却方式	水冷/风冷可选
14	控制方式	RS485、CAN、以太网等方式可选
15	外形尺寸	根据客户需求定制